IPB180N03S4LH0ATMA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPB180N03S4LH0ATMA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 200µA |
Vgs (Max) | ±16V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-7-3 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.95mOhm @ 100A, 10V |
Verlustleistung (max) | 250W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 23000 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 180A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPB180 |
IPB180N03S4LH0ATMA1 Einzelheiten PDF [English] | IPB180N03S4LH0ATMA1 PDF - EN.pdf |
INFINEO TO-263
INFINEON TO-263
IPB180N03S4L-H0 (4N03LH0) INFINEON
IPB180N04S4-01 INFINEON
INFINEON TO-263-6
IPB180N04S3-02 (3QN0402) INFINEON
MOSFET N-CH 250V 17A TO263-3
IPB180N03 - 20V-40V N-CHANNEL AU
INFINEON TO-263
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
INFINEON TO-263-7
IPB180N03 - 20V-40V N-CHANNEL AU
INFINEON TO-263-6
INFINEON TO-263-6
IPB180N04S3-02 Infineon Technologies
INFINEON TO-263-7
IPB180N04S4-00 INFINEO
INFINEO TO-263
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
INFINEON TO-263
2023/12/20
2024/10/16
2024/08/29
2024/10/18
IPB180N03S4LH0ATMA1Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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